Декларации и продукция АО Джиэс-Нанотех

Твердотельное энергонезависимое устройство хранения GS SSD GSPMAХХХMYYZZZ где XXX - объем памяти: 256 Гбайт 512 Гбайт; YY – коэффициент резервирования памяти: 02 04 08 16; ZZZ - температурный диапазон STF - стандартный ETF - расширенный; переменные характеристики не влияют на качественный состав изделия; Твердотельное энергонезависимое устройство хранения данных GS SSD GSPTAXXXMYYZTF где XXX – это объем хранимых данных на устройстве из ряда 256 512; YY – это коэффициент резервирования из ряда 02 04 08 16; Z – температурный режим работы устройства S – стандартный Е – расширенный; Торговая марка GS Nanotech

ЕАЭС N RU Д-RU.РА08.В.82539/25

а) Твердотельное энергонезависимое устройство хранения данных GS SSD M.2 SATA GS026SXXXMYYC0 где XXX – это объем хранимых данных на устройстве из ряда 256 512 01T 02Т; YY – номер исполнения по порядку от 00 01 02 20 21 22 23 24 25 30 31 32 33 34 35 40 41 42 43. б) Твердотельное энергонезависимое устройство хранения данных GS SSD M.2 PCIe GS027EXXXMYYC0 где XXX – это объем хранимых данных на устройстве из ряда 256 512 01T 02Т; YY – номер исполнения по порядку от 00 50 20 70 21 71 30 80 31 81 32 82 40 90 41 91

ЕАЭС N RU Д-RU.РА10.В.59901/24

Твердотельное энергонезависимое устройство хранения данных — Твердотельное энергонезависимое устройство хранения данных GS SSD U.2 DC GSDDWXXXRYYZTF где W - это код микросхемы памяти из набора C D E F; XXX – это объем хранимых данных на устройстве из ряда 128 256 512 01T 02Т; YY – это коэффициент резервирования из ряда 02 04 08 16; Z – температурный режим работы устройства S – стандартный Е – расширенный

ЕАЭС N RU Д-RU.РА02.В.08053/22